Infineon Technologies 950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET
英飞凌科技950V CoolMOS™ PFD7 SJ MOSFET采用超级结 (SJ) 技术。SJ技术先进、易用，具有同类最佳的性能，非常适合用于照明和工业SMPS应用。PFDJ集成了超快体二极管，可用于具有最低反向恢复电荷 (Qrr) 的谐振拓扑。
英飞凌950V CoolMOS PFD7 SJ MOSFET具有出色的硬换向稳健性，可用于谐振拓扑。该器件为具有较高总线电压的设计提供额外的安全裕度。
特性
- 集成超快体二极管
- 同类最佳的反向恢复电荷Qrr
- 同类最佳的FOM RDS(on) Eoss、降低的Qg、Ciss和Coss
- 同类最佳的V(GS)th为3V，最小V(GS)th变化为±0.5V
- 集成快速体二极管
- 同类最佳的CoolMOS™质量和可靠性
- 完全优化的产品组合
- 同类最佳的RDS(on)，采用THD和SMD封装
- 最低ESD保护等级2级 (HBM)
应用
- 适合用于硬开关和软开关拓扑
- 优化用于LLC和ZVS拓扑
- 照明和工业SMPS领域的PFC和LLC应用
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| 物料编号 | 数据表 | 安装风格 | 封装 / 箱体 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB95R310PFD7ATMA1 |  |
SMD/SMT | D2PAK-3 (TO-263-3) | 17.5 A | 310 mOhms |
| IPD95R450PFD7ATMA1 | |
SMD/SMT | DPAK-3 (TO-252-3) | 13.3 A | 450 mOhms |
| IPB95R130PFD7ATMA1 | |
SMD/SMT | TO-263-3 | 36.5 A | 130 mOhms |
| IPW95R060PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-247-3 | 74.7 A | 60 mOhms |
| IPA95R130PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-220FP-3 | 13.9 A | 130 mOhms |
| IPA95R450PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-220FP-3 | 7.2 A | 450 mOhms |
| IPA95R310PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-220FP-3 | 8.7 A | 310 mOhms |
| IPW95R130PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-247-3 | 36.5 A | 130 mOhms |
| IPW95R310PFD7XKSA1 | |
Through Hole | TO-247-3 | 17.5 A | 310 mOhms |
| IPB95R450PFD7ATMA1 | |
SMD/SMT | D2PAK-3 (TO-263-3) | 13.3 A | 450 mOhms |
发布日期: 2022-10-11
| 更新日期: 2022-11-15