Infineon Technologies CoolGaN™ Drive HB 600V G5开关
英飞凌CoolGaN™ Drive HB 600V G5开关集成采用两个600V增强型CoolGaN开关（导通电阻选项：140mΩ、270mΩ或500mΩ）的半桥功率级。这些开关包含内置栅极驱动器，采用紧凑的6mm × 8mm TFLGA-27封装。这些开关设计用于低功率/中等功率应用，非常适合用于高密度电机驱动器和开关模式电源 (SMPS)，发挥出CoolGaN技术优异的开关性能。英飞凌’s CoolGaN开关具有稳健的栅极结构，确保在“通”态下连续栅极驱动电流仅几个毫安时的导通电阻能极小。
由于氮化镓的阈值电压低且开关瞬态速度快，某些应用需要负栅极驱动器电压才能实现快速关断并防止交叉导通。这很容易实现，只需在驱动器和开关之间使用标准RC接口，只需几个外部SMD电阻器和电容器就能适应各种功率拓扑。
这款基于英飞凌SOI技术的集成驱动器，具有出色的坚固性和抗噪性能，同时在负栅极电压下保持逻辑操作。浮动通道支持通过集成自举配置驱动高侧GaN芯片。
特性
- 两个呈半桥配置的140mΩ、270mΩ或500mΩ GaN开关并集成了高侧和低侧栅极驱动器
- 驱动电流：+0.29A（拉），-0.7A（灌）
- 可按应用配置的导通和关断速度
- 集成超快速低电阻自举二极管
- 输入到输出传播 快，典型值仅98ns，且通道间失配极小
- PWM输入信号
- 单相或多相双电平逆变器功率拓扑
- 标准逻辑输入电平与数字控制器兼容
- 单栅极驱动器电源电压12V（典型值）具有快速UVLO恢复能力
- 低侧开放的源极用于通过外部分流电阻器进行电流检测
- 热增强型6 mm x 8 mm TFLGA-27封装
- 完全符合JEDEC工业应用标准
- 无卤素及符合 符合RoHS标准
应用
- 低功耗电机驱动器
- 低功耗开关模式电源 (SMPS)
规范
- 低侧工作输出电压范围：10V至20V
- 高侧浮动井工作电源电压范围：10V至20V
- 最大连续栅极电流：2.6mA至7.7mA
- 输出引脚DH、SW和SL之间最小电压：600V
- 750V漏-源脉冲电压（最大漏-源脉冲电压）
- +25°C条件下最大连续漏极电流范围：3.0A至6.0A
- +25°C条件下最大脉冲漏极电流范围：6.7A至23A
- 热阻
- 结至外壳：7.7°C/W（典型值）
- 结至环境：52°C/W（每个GaN器件4层）
- 最大结温范围：-40°C至+150°C
- 最大焊接温度：+260°C
- ESD等级
- 1C人体模型 (HBM)
- C3带电设备模型 (CDM)
典型配置电路
动力级框图
发布日期: 2025-12-12
| 更新日期: 2025-12-23