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Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFET

英飞凌CoolSiC™ 1400V碳化硅 (SiC) G2 MOSFET采用TO-247PLUS-4回流焊封装。这些英飞凌MOSFET非常适合用于高输出功率应用，例如电动汽车 (EV) 充电、电池储能系统 (BESS)、商用/建筑/农业车辆 (CAV) 等。CoolSiC™ MOSFET G2 1400V技术是一项尖端技术，具有更好的热性能、更高的功率密度和更高的可靠性。该封装具有回流焊能力（可进行3次回流焊），能让热阻更低。

特性

  • 非常低的切换损失
  • 封装背面适用于在+260°C下进行3次回流焊
  • 过载运行温度高达Tvj = +200°C
  • 短路耐受时间：2µs
  • 基准栅极阈值电压：4.2V
  • 功率密度和系统输出功率均增加
  • 抗寄生导通能力强，可以施加0V关断栅极电压
  • 稳健的整流二极管，适用于硬换向
  • 抗米勒效应能力强
  • ）。XT互连技术，实现同类最佳的散热性能
  • 整体效率提高
  • 易于并联
  • 对瞬态过载和雪崩条件具有强大抗性
  • 宽2mm电源引脚，可实现大电流能力
  • 可焊接电阻引脚，用于直接连接母线
  • TO247PLUS (PG-TO247-4-U08) 封装，较大爬电距离为10.8mm，CTI ≥ 600V
  • 符合JEDEC47/20/22标准，适用于工业应用
  • 无铅、无卤、符合RoHS标准的绿色器件

应用

  • 商用、建筑和农用车辆
  • EV充电
  • 在线/工业不间断电源 (UPS)
  • 灯串逆变器
  • BESS
  • 通用驱动器 (GPD)

规范

  • 最大漏极-源极电压：1400V
  • 最大漏极-源极反向电压：5.5V
  • 连续直流漏极电流范围
    • 147 A至207 A (IMYR140R008M2H)
    • 71 A至100 A (IMYR140R019M2H)
  • 峰值漏极电流：213A (IMYR140R019M2H) 或441A (IMYR140R008M2H)
  • 最大栅极-源极电压范围
    • 瞬态电压范围：-10V至25V
    • 静态电压范围：-7V至23V
  • 雪崩能量
    • IMYR140R008M2H单脉冲为1159mJ，重复脉冲为5.8mJ
    • IMYR140R019M2H单脉冲为506mJ，重复脉冲为2.5mJ
  • 最大短路耐受时间：2µs
  • 耗散功率范围
    • 360 W至710 W (IMYR140R008M2H)
    • 192 W至385 W (IMYR140R019M2H)
  • 推荐的栅极电压范围
    • 15 V至18 V (IMYR140R008M2H)
    • -5 V至0 V (IMYR140R019M2H) 
  • 最大漏极-源极导通电阻：23.4mΩ (IMYR140R008M2H) 或53.8mΩ (IMYR140R019M2H)
  • 最大栅极-源极阈值电压：5.1V
  • 最大零栅极电压漏极电流：300µA (IMYR140R019M2H) 或690µA (IMYR140R008M2H)
  • 最大栅极漏电流：±120nA
  • 典型正向跨导：27S (IMYR140R019M2H) 或63S (IMYR140R008M2H)
  • 典型内部栅极电阻：2.1Ω (IMYR140R019M2H) 或 4.4Ω(IMYR140R008M2H)
  • 典型电容
    • 输入：2860pF (IMYR140R019M2H) 或6450pF (IMYR140R008M2H)
    • 输出：99pF (IMYR140R019M2H) 或225pF (IMYR140R008M2H)
    • 反向传输：9pF (IMYR140R019M2H) 或20pF (IMYR140R008M2H)
  • 典型输出电荷：172nC (IMYR140R019M2H) 或394nC (IMYR140R008M2H)
  • 典型有效输出电容
    • 能量相关：197pF (IMYR140R019M2H) 或447pF (IMYR140R008M2H)
    • 时间相关：215pF (IMYR140R019M2H) 或493pF (IMYR140R008M2H)
  • 总栅极电荷：90nC (IMYR140R019M2H) 或203nC (IMYR140R008M2H)
  • 平坦栅极电荷：30nC (IMYR140R019M2H) 或67nC (IMYR140R008M2H)
  • 栅极至漏极电荷：18nC (IMYR140R019M2H) 或40nC (IMYR140R008M2H)
  • 典型时间
    • 导通延迟：9ns (IMYR140R019M2H) 或31ns (IMYR140R008M2H)
    • 上升时间：4.7ns (IMYR140R019M2H)或17ns (IMYR140R008M2H)
    • 导通延迟：23ns (IMYR140R019M2H) 或80ns (IMYR140R008M2H)
    • 下降时间：9.5ns (IMYR140R019M2H) 或34ns (IMYR140R008M2H)
  • +25°C时典型能量
    • 导通：548µJ (IMYR140R019M2H) 或2720µJ (IMYR140R008M2H)
    • 关断：120µJ (IMYR140R019M2H) 或1980µJ (IMYR140R008M2H)
    • 总开关能量：918µJ (IMYR140R019M2H) 或5100µJ (IMYR140R008M2H)
  • +25°C时典型MOSFET正向恢复电荷：0.13µC (IMYR140R019M2H) 或0.18µC (IMYR140R008M2H)
  • +25°C时典型MOSFET峰值正向恢复电流：9.6A (IMYR140R019M2H) 或16A (IMYR140R008M2H)
  • +25°C时典型MOSFET峰值正向恢复能量：250µJ (IMYR140R019M2H) 或400µJ (IMYR140R008M2H)
  • 热阻
    • 最高结至环境温度：62K/W
    • 最大MOSFET/体二极管结至外壳温度范围：0.21K/W至0.39K/W
  • 最高焊接温度：+260°C
  • 寿命可达5000次循环

数据手册

原理图

原理图 - Infineon Technologies CoolSiC™ 1400V SiC G2 MOSFET
发布日期: 2025-09-25 | 更新日期: 2025-11-03