Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT硅模块
Infineon Technologies DDB6U134N16RR IGBT硅模块具有1.35V电压（100A正向电压时）和500W功率耗散。这些器件的最大工作温度范围为-40°C至+150°C。英飞凌DDB6U134N16RR IGBT硅模块采用45mm x 107.5mm x 20.5mm（宽 x 长 x 高）封装。
特性
- 1.35 V（100 A正向电压时）
- 最大工作温度范围：-40°C至+150°C
- 功率耗散：500W
- 输出电流：134A
- 正向电流：35A
尺寸 (mm)
发布日期: 2022-09-20
| 更新日期: 2022-09-26