Infineon Technologies EasyDUAL™ 1B IGBT模块
英飞凌采用CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B IGBT模块具有非常低的杂散电感和出色的效率，因此频率更高、功率密度更高、冷却要求更低。这些1200V、8mΩ的半桥模块集成了NTC温度传感器和PressFIT触点技术。xHP_B11型号提供热界面材料。此系列器件具有0至5V和+15V至+18V的推荐栅极驱动电压范围、+23V或-10V的最大栅极-源极电压以及17mΩ或33mΩ的漏极-源极导通电阻选项。集成式安装夹确保牢固的安装。
特性
- 出色的封装，尺寸为62.8mm x 33.8mm x 12mm（LxWxH）
- 将先进的WBG材料和简易模块封装结合在一起
- 模块杂散电感非常低
- 宽RBSOA
- 1200V CoolSiC MOSFET，采用增强型第一代沟槽技术
- 扩展的推荐栅极驱动电压范围：0至5V和+15V至+18V
- 扩展的最大栅极-源极电压：+23V和-10V
- 漏极-源极导通电阻选项：17mΩ或33mΩ
- 过载条件下Tvjop高达+175°C
- PressFIT引脚
- 集成NTC温度传感器
- 热界面材料（xHP_B11型号）
- 集成的安装夹
- 实现更高频率，提高功率密度
- 出色的模块效率和性价比，可降低系统成本
- 提高系统效率，降低冷却要求
- 符合RoHS指令
应用
- 高频开关应用
- DC/DC转换器
- 不间断电源 (UPS) 系统
- 电动汽车用直流充电器（FF17MR12W1HX型号）
- 电机驱动器（F33MR12W1M1Hx型号）
示意图
发布日期: 2023-06-05
| 更新日期: 2023-06-12