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Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT模块

英飞凌F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT模块具备高达650V的增强阻断电压能力，采用第五代CoolSiC™肖特基二极管。这些器件基于TRENCHSTOP™ IGBT5和PressFIT触点技术。F3L200R07W2S5FP IGBT模块大幅降低了开关损耗，采用低热阻Al2O3 基板。这些模块采用紧凑设计，由于集成安装夹和预涂热界面材料，因此安装坚固耐用。F3L200R07W2S5FP IGBT模块非常适合用于电机驱动器、太阳能应用、3电平应用和UPS系统。

特性

  • CoolSiC肖特基二极管（第5代）
  • 阻断电压能力提高至650 V
  • 低开关损耗
  • 紧凑型设计
  • 具有低热阻的Al2O3 基板
  • PressFIT触点技术
  • 由于集成安装夹，所以坚固耐用
  • 预涂热界面材料

应用

  • 电机驱动器
  • 太阳能
  • 3电平应用
  • 不间断电源系统

电路图

应用电路图 - Infineon Technologies F3L200R07W2S5FP EasyPACK™ IGBT模块

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物料编号 数据表 描述 产品类型 标准包装数量
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发布日期: 2020-05-11 | 更新日期: 2024-10-24