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Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™超级结MOSFET

Infineon Technologies IPW60R037CSFD CoolMOS™超级结MOSFET优化用于满足非车载电动汽车充电市场的需求。该器件具有低栅极电荷 (Qg) 和优化的开关特性，效率极高。该器件具有集成快速体二极管，可以显著降低反向恢复电荷 (Qrr)，从而在谐振拓扑中提高可靠性。IPW60R037CSFD符合非车载电动汽车充电的效率和可靠性标准，并支持高功率密度解决方案。

特性

  • 超快体二极管
  • 出色的反向恢复电荷 (Qrr)
  • 增强了反向二极管dv/dt和dif/dt耐用性
  • 超低FOM RDS(on) x Qg和Eoss
  • 同类最佳的RDS(on)/封装组合
  • 效率极佳，适用于电动汽车充电应用
  • 可实现较高的功率密度
  • 极高的可靠性水平
  • 可以选择合适的RDS(on) 封装组合

应用

  • 电动汽车充电 - 优化用于相移全桥 (ZVS)、LLC和PFC应用。适用于软开关和硬开关拓扑。

Additional Resource

Infineon Power and Sensing Selection Guide

发布日期: 2019-06-05 | 更新日期: 2024-01-12