Infineon Technologies OptiMOS™ 5线性FET 2 MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 5线性FET 2 MOSFET针对热插拔和电子保险丝应用进行了优化，具有极低的导通电阻RDS(on) 和宽安全工作区 (SOA) 的优异性能。这些N沟道、正常电平MOSFET经过100%的雪崩测试，可靠性高，并采用无铅引线电镀，确保符合RoHS规范。此外，根据IEC61249-2-21标准，这些MOSFET不含卤素，因此在要求苛刻的应用中非常环保。
特性
- 热插拔和电子保险丝应用的理想之选
- 极低导通电阻RDS(on)
- 宽阔的安全操作区SOA
- N沟道，正常电平
- 100%通过雪崩测试
- 无铅电镀；符合RoHS规范
- 符合IEC61249‑2‑21规范，不含卤素
应用
- 热插拔应用
- 电子保险丝的应用
应用电路图
发布日期: 2024-12-06
| 更新日期: 2024-12-22