Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET是先进的N沟道设备，专为现代汽车架构中的高效功率开关而设计。这些100V MOSFET基于OptiMOS™ 7技术打造，可提供极低的导通电阻、快速开关特性和高雪崩能力，能够在保持出色耐用性和热性能的同时，降低导通损耗和开关损耗。这些特性支持在紧凑型封装中实现高功率密度设计，非常适合要求可靠性、效率和稳定运行的严苛汽车环境。

这些英飞凌MOSFET针对48V汽车系统进行了优化，广泛用于DC‑DC转换器、泵/风扇电机控制、电源分配以及电池管理系统等应用。这些设备还可支持电动助力转向、制动、LED照明和轻型电动车辆子系统中的关键功能，在这些应用中，高效电能转换和可靠的开关性能至关重要。总体而言，OptiMOS 7 100V系列可提升系统性能，同时降低散热和空间设计难度，从而支持车辆向更高电气化程度和更高能效发展。

特性

适用于汽车应用的OptiMOS功率MOSFET
N沟道增强模式
- IAUCN10S7L290T的逻辑电平
- IAUCN10S7N025T的正常电平
超过AEC-Q101要求的扩展认证
增强电气测试
最大限度降低导通损耗
出色的开关性能
大功率密度和高效率
更高的电流能力

极低R_DS(on)
设计坚固耐用
PG-LHDSO-10封装
潮湿敏感度等级 (MSL) 1，峰值回流焊温度最高可达+260°C
工作温度范围：-55 °C至+175 °C
100% 经雪崩测试
符合RoHS标准

应用

DC-DC转换器（电能转换）
电机控制系统
汽车辅助负载
电源分配和开关

电池管理系统 (BMS)
转向和安全系统
照明系统
电动和轻型出行平台

信息图 - Infineon Technologies OptiMOS™ 7 100V车规级功率MOSFET

规范

静态特性
- 最小漏源击穿电压：100V
- 栅极阈值电压范围：1.2V至3.2V
- 零栅极电压漏极电流范围：1μA至29μA
- 最大栅源漏电流：100nA
- 漏源导通电阻：2.5mΩ至38.2mΩ
- 典型栅极电阻范围：0.9Ω至1.5Ω
动态特性
- 最大输入电容范围：560pF至6600pF
- 最大输出电容范围：240pF至2760pF
- 最大反向传输电容范围：8pF至30pF
- 典型接通延迟时间范围：2ns至16ns
- 典型上升时间范围：2ns至15ns
- 典型关闭延迟时间范围：8ns至33ns
- 典型下降时间范围：4ns至18ns

栅极电荷特性
- 最大栅源电荷范围：1.8nC至31nC
- 最大栅漏电荷范围：3nC至19nC
- 最大总栅极电荷范围：11nC至93nC
- 典型栅极平台电压范围：3.1V至4.6V
反向二极管特性
- 最大二极管持续正向电流范围：27A至175A
- 最大二极管脉冲电流范围：52A至622A
- 最大二极管正向电压：1 V
- 最大反向恢复时间范围：32ns至68ns
- 最大反向恢复电荷范围：15nC至82nC
单脉冲雪崩
- 最大能量范围：12mJ至139mJ
- 最大电流范围：18 A至125 A
最大功率耗散范围：45W至205W