Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道标准电平80V（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）或100V（ISC019N10NM8SC）MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS_(ON)）。ISC016N08NM8SC和ISC019N10NM8SC提供双面冷却封装（WSON-8）；ISC016N08NM8提供标准TDSON-8封装。每种封装均具有出色的热阻，且100%经过雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管，且无铅、无卤，符合RoHS标准。

特性

N沟道、标准电平
专为电机驱动、同步整流及电池保护而优化（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）
专为高性能SMPS及电机驱动而优化（ISC019N10NM8SC）
双面冷却封装，实现最低结顶热阻（ISC016N08NM8SC和ISC019N10NM8SC）
软恢复体二极管

100% 经雪崩测试
出色的热阻
超低RDS_(ON)
额定电压：+175 °C
无铅镀层，符合RoHS标准
无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
根据J-STD-020标准，通过MSL 1级认证（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）

应用

数据中心与人工智能数据中心解决方案
电信基础设施
光伏
工业及消费类电池管理系统（BMS）
服务器电源 (PSU)

遥控直升机和无人机
电动工具
人形机器人
电机控制

规范

漏源击穿电压（V_(BR)DSS）（VGS=0V、ID=1mA）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：80V（最小值）
- ISC019N10NM8SC：100V（最小值）
漏源RDS_(on)（VGS=10V、ID=50A）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：1.64mΩ（最大值）
- ISC019N10NM8SC：1.95mΩ（最大值）
漏极连续电流（ID）（VGS=10V、TC=25°C）
- ISC016N08NM8：268A（最大值）
- ISC016N08NM8SC：269A（最大值）
- ISC019N10NM8SC：245A（最大值）
输出电荷（Qoss）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：147nC（典型值）（VDS=40V、VGS=0V）
- ISC019N10NM8SC：205nC（典型值）（VDS=50V、VGS=0V）

总栅极电荷（GQ）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：76nC（典型值）（VDD=40V、ID=50A、VGS=0V至10V）
- ISC019N10NM8SC：106nC（VDD=50V、ID=25A、VGS=0V至10V）
反向恢复电荷（Qrr）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：162nC（典型值）（VR=40V、IF=50A、diF/dt=100A/μs）
- ISC019N10NM8SC：53nC（典型值）（VR=50V、IF=25A、diF/dt=100A/μs）