OptiMOS™ 8功率MOSFET

英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道标准电平80V（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）或100V（ISC019N10NM8SC）MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。ISC016N08NM8SC和ISC019N10NM8SC提供双面冷却封装（WSON-8）；ISC016N08NM8提供标准TDSON-8封装。每种封装均具有出色的热阻，且100%经过雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管，且无铅、无卤，符合RoHS标准。

结果: 9
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in SuperSO8 package
数据表
220库存量
5,000预期 2027/6/10
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 150 A 3.33 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 59 nC - 55 C + 175 C 179 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK
数据表
700库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 100 V 176 A 1.76 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
数据表
350库存量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.42 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 160 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V l in SuperSO8 package
数据表
497库存量
5,000预期 2027/5/31
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in TOLL
数据表
1库存量
4,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 484 A 0.93 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
数据表
15,400在途量
最低： 1
倍数： 1
: 5,000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 268 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 power MOSFET 100 V in D2PAK-7
数据表
1,000在途量
最低： 1
倍数： 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 408 A 0.94 mOhms - 20 V, 20 V 3.2 V 255 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V
数据表
4,000预期 2026/10/22
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 80 V 269 A 1.54 mOhms 20 V 3.5 V 76 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 8 PowerMOSFET, 100 V
数据表
942在途量
最低： 1
倍数： 1
: 4,000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 100 V 245 A 1.93 mOhms 20 V 3.2 V 106 nC - 55 C + 175 C 268 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape