Infineon Technologies OptiMOS™ 8功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET是N沟道、标准电平80V（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）或100V（ISC019N10NM8SC）MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(ON)）。ISC016N08NM8SC和ISC019N10NM8SC提供双面冷却封装（WSON-8）；ISC016N08NM8提供标准TDSON-8封装。每种封装均具有出色的热阻，且100%经过雪崩测试。英飞凌OptiMOS™ 8功率MOSFET采用软恢复二极管，且无铅、无卤，符合RoHS标准。
特性
- N沟道、标准电平
- 专为电机驱动、同步整流及电池保护而优化（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）
- 专为高性能SMPS及电机驱动而优化（ISC019N10NM8SC）
- 双面冷却封装，实现最低结顶热阻（ISC016N08NM8SC和ISC019N10NM8SC）
- 软恢复体二极管
- 100% 经雪崩测试
- 出色的热阻
- 超低RDS(ON)
- 额定电压：+175 °C
- 无铅镀层，符合RoHS标准
- 无卤素，符合 IEC61249-2-21 标准
- 根据J-STD-020标准，通过MSL 1级认证（ISC016N08NM8和ISC016N08NM8SC）
应用
- 数据中心与人工智能数据中心解决方案
- 电信基础设施
- 光伏
- 工业及消费类电池管理系统（BMS）
- 服务器电源 (PSU)
- 遥控直升机和无人机
- 电动工具
- 人形机器人
- 电机控制
规范
- 漏源击穿电压（V(BR)DSS）（VGS = 0V、ID = 1mA）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：80V（最小值）
- ISC019N10NM8SC：100V（最小值）
- 漏源RDS(on)（VGS = 10V、ID = 50A）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：1.64mΩ（最大值）
- ISC019N10NM8SC：1.95mΩ（最大值）
- 漏极连续电流（ID）（VGS = 10V、TC = 25°C）
- ISC016N08NM8：268A（最大值）
- ISC016N08NM8SC：269A（最大值）
- ISC019N10NM8SC：245A（最大值）
- 输出电荷（Qoss）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：147nC（典型值）（VDS = 40V、VGS = 0V）
- ISC019N10NM8SC：205nC（典型值）（VDS = 50V、VGS = 0V）
- 总栅极电荷（GQ）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：76nC（典型值）（VDD = 40V、ID = 50A、VGS = 0V至10V）
- ISC019N10NM8SC：106nC（VDD = 50V、ID = 25A、VGS = 0V至10V）
- 反向恢复电荷（Qrr）
- ISC016N08NM8、ISC016N08NM8SC：162nC（典型值）（VR = 40V、IF = 50A、diF/dt = 100A/μs）
- ISC019N10NM8SC：53nC（典型值）（VR = 50V、IF = 25A、diF/dt = 100A/μs）
封装与电路图
发布日期: 2026-03-04
| 更新日期: 2026-06-26