Infineon Technologies OptiMOS™线性FET

英飞凌科技OptiMOS™线性FET是一套兼顾增强模式MOSFET饱和区域中通态电阻RDS(on)和线性模式功能操作的解决方案。该器件具有沟槽式MOSFET的先进RDS(on)和传统平面MOSFET的宽安全工作区。OptiMOS线性FET通过限制高涌入电流防止负载时损坏。

另外,OptiMOS线性FET非常适合用于电信和电池管理系统中常见的热插拔和电子保险丝应用。

特性

  • 将低RDS(on)和宽安全工作区 (SOA) 结合在一起
  • 最大脉冲电流高
  • 连续脉冲电流大
  • N沟道,正常电平
  • 100%经雪崩测试
  • 无铅电镀;符合RoHS指令
  • 按照JEDEC标准符合目标应用要求
  • 无卤素,符合IEC61249-2-21标准

应用

  • 电信
  • 电池管理

对比图

图表 - Infineon Technologies OptiMOS™线性FET
发布日期: 2020-07-20 | 更新日期: 2024-11-06