Infineon Technologies XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET半桥模块
英飞凌科技的 ™ 2 MOSFET半桥模块专为从1.7kV 到3.3kV的™应用而设计，具有三个AC端子和四个 DC端子，以最大限度地提高载流能力。XHP 2帧大小的简单可扩展性，得益于基本的模块化概念，使这些模块为未来数代的芯片和快速开关设备做好准备，从而实现低损耗。这些模块采用低电感设计，具有低开关损耗和大电流 密度。机械方面，这些模块具有高功率密度，采用比较耐漏电起痕指数(CTI)大于600的封装，可确保较长的爬电距离和电气间隙。铝碳化硅 (AlSiC) 基板可增强热循环能力，使这些模块非常适合用于要求苛刻的应用。
特性
- 可扩展的设计
- 低开关损耗
- 大电流/功率密度
- 低电感设计
- 一流的可靠性
- N沟道极性
- 螺钉安装
- CTI>600封装
- 双配置
- 大爬电距离和电气间隙
- AlSiC基板，提高热循环能力
- 具有低热阻的氮化铝基底
应用
- 牵引
- 中电压 (MV) 驱动器
- 商用车解决方案
- 大功率转换器
- 高频开关应用
规范
- 漏极-源极击穿电压：2.3kV或3.3kV
- 漏极连续电流范围：500A至2000A
- 栅源阈值电压范围：3.45V至5.15V
- 栅-源电压选项：-7V/+20V或-10V至+23V
- 正向电压选项：4.6V或5V
- 漏极-源极导通电阻范围：2.4mΩ至4.8mΩ
- 耗散功率：20mW
- 典型导通延迟时间范围：210ns到490ns
- 上升时间范围：95 ns至170 ns
- 典型关断延迟时间范围：30ns到380ns
- 下降时间范围：60 ns至105 ns
- 工作温度范围：-40°C至+150°C/+175°C
- 尺寸：144mm x 99.8mm x 40mm (LxWxH)
资源
- AN2024-03 - 应用程序和组装说明
发布日期: 2024-07-19
| 更新日期: 2025-10-28