Infineon Technologies 国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT
国际整流器 1200V 第 8 代 IGBT 采用 IR 最新一代有沟槽栅、场终止技术，工业标准 TO-247 封装，拥有同类最佳的性能，适用于工业和节能型应用。第 8 代技术提供软关断特性，适用于电机驱动应用，尽量减小 dv/dt 以降低 EMI，和过电压，同时提高了可靠性和耐用性。这些第 8 代 IGBT 具有从 8A 至 60A 的电流额定值，其中 V CE(导通) 典型值为 1.7V，短路保护额定值为 10µs，这降低了功率耗散，从而提高了功率密度和鲁棒性 1200V 第 8 代 IGBT 采用薄晶片技术，改进了热阻性能，最大结温为 175ºC。
特性
- Low VCE(ON) for high efficiency in a motor drive applications
- 10μs Short Circuit SOA increases margin for short circuit protection scheme
- Positive VCE(ON) Temperature Coefficient for excellent current sharing in parallel operation
- Square RBSOA and high ILM- rating for rugged transient performance
- Lead-free, RoHS compliant
应用
- Industrial motor drives
- UPS
- Solar inverters
- Welding
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| 物料编号 | 在25 C的连续集电极电流 | 栅极—射极漏泄电流 | Pd-功率耗散 | 数据表 |
|---|---|---|---|---|
| IKW08N120CS7XKSA1 | 21 A | 100 nA | 106 W |  |
| IKW15N120T2 | 30 A | 600 nA | 235 W | |
| IKW25N120T2 | 50 A | 200 nA | 349 W | |
| IKW40N120T2 | 75 A | 200 nA | 480 W | |
发布日期: 2014-12-11
| 更新日期: 2022-03-11