IXYS 高压反向导通 (BiMOSFET™) IGBT
IXYS超高压系列2500V - 3600V反向导通 (BiMOSFET™) IGBT将MOSFET和IGBT的优势相结合。这些高压器件的饱和电压和内置二极管的正向电压降均具有正电压温度系数，因此非常适合用于并联运行。“自由”内置体二极管用作保护二极管，为器件关断期间的感性负载电流提供替代路径，防止高Ldi/dt电压瞬变对器件造成损坏。
特性
- “自由”内置体二极管
- 高功率密度
- 高频工作
- 低导通损耗
- 便于驱动的MOS栅极导通
- 4000V电气隔离
- 低栅极驱动要求
- 节省空间（无需多个串并联的低额定电压、低额定电流器件）
- 易于安装
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- 不间断电源 (UPS)
- 激光和X射线发生器
- 电容器放电电路
- 高压脉冲发生器电路
- 高压测试设备
- 交流开关
发布日期: 2019-08-27
| 更新日期: 2023-12-11