IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET

IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET是 650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,采用电荷补偿原理和专有工艺技术进行开发。该N沟道功率MOSFET具有低导通电阻和低栅极电荷以及出色的dv/dt性能。IXFP34N65X2W MOSFET具有高功率密度,雪崩功能增强了器件的耐用性。除了快速软恢复本体二极管外,超结MOSFET还有助于降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。IXFP34N65X2W MOSFET用于开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动器、机器人和伺服控制应用。

特性

  • 漏极-源极电压(VDS):650V
  • 低导通电阻(RDS(on)):≤ 100mΩ
  • 低栅极电荷(Qg):64nC
  • 功率耗散(PD):540W
  • 漏极电流(ID):34A
  • 耐雪崩
  • 高效率
  • 高功率密度
  • 低电感封装
  • 降低导通损耗
  • 降低了驱动器功率要求
  • 国际标准封装
  • 易于安装
  • 节省空间

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 交流和直流电机驱动器
  • PFC电路
  • 机器人技术
  • 伺服控制

尺寸图纸

机械图纸 - IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
发布日期: 2025-02-21 | 更新日期: 2025-03-17