IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET
IXYS IXFP34N65X2W功率MOSFET是 650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,采用电荷补偿原理和专有工艺技术进行开发。该N沟道功率MOSFET具有低导通电阻和低栅极电荷以及出色的dv/dt性能。IXFP34N65X2W MOSFET具有高功率密度,雪崩功能增强了器件的耐用性。除了快速软恢复本体二极管外,超结MOSFET还有助于降低开关损耗和电磁干扰(EMI)。IXFP34N65X2W MOSFET用于开关模式和谐振模式电源、直流-直流转换器、PFC电路、交流和直流电机驱动器、机器人和伺服控制应用。
特性
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 低导通电阻(RDS(on)):≤ 100mΩ
- 低栅极电荷(Qg):64nC
- 功率耗散(PD):540W
- 漏极电流(ID):34A
- 耐雪崩
- 高效率
- 高功率密度
- 低电感封装
- 降低导通损耗
- 降低了驱动器功率要求
- 国际标准封装
- 易于安装
- 节省空间
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- DC-DC转换器
- 交流和直流电机驱动器
相关MOSFET
650V、100mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,具有N沟道增强模式。
650V、69mΩ、X2级HiPerFET™ 功率MOSFET,具有N沟道增强模式。
发布日期: 2025-02-21
| 更新日期: 2025-03-17