IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET是一款工业级单开关SiC MOSFET，具有功率循环特性和非常快速、低损耗的开关特性。该MOSFET具有导通损耗低、栅极驱动器功率要求低、散热管理工作量小等特点，并针对栅极控制进行了优化。IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET 适用于高速工业开关电源。这款 SiC MOSFET非常适用于太阳能逆变器、开关电源、 UPS、电机驱动器、DC/DC转换器、电动汽车充电基础设施和感应加热。
特性
- 漏极-源极电压：1200 V
- 30mΩ漏源导通电阻RDS(on)
- 采用-3/+15V至18V栅极驱动器SiC MOSFET技术
- 低输入电容Ciss为3000pF
- 最大虚拟结温Tvj = +175°C
- 高阻断电压，低导通电阻
- 高速开关，低电容
- 超快固有二极管，Trr = 54.8ns
- 开尔文源连接
- 潮湿敏感度等级为1级（MSL 1）
- Tc = 25°C时，总耗散功率为395W
应用
- 太阳能逆变器
- 开关模式电源
- UPS
- 电机驱动器
- 直流/直流转换器
- 电动汽车充电基础设施
- 感应加热
尺寸图
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IXYS IXSA40N120L2-7 SiC MOSFET
单开关MOSFET，设有1200V、80mΩ 、41A工业级器件，采用TO263-7L封装。
发布日期: 2025-02-28
| 更新日期: 2026-04-13