IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET

IXYS IXSA80N120L2-7碳化硅MOSFET是一款工业级单开关碳化硅MOSFET,具有功率循环特性和非常快的低损耗开关特性。该MOSFET具有低导通损耗、低栅极驱动功率要求以及较低的热管理工作,优化用于栅极控制。IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET 用于高速工业开关模式电源。此款 SiC MOSFET非常适用于太阳能逆变器、开关模式电源、 UPS、电机驱动器、直流/直流转换器、电动汽车充电基础设施和感应加热。

特性

  • 1200 V漏源电压
  • 漏极-源极导通电阻RDS(on) :30mΩ
  • SiC MOSFET技术,具有-3/+15至18V栅极驱动
  • 低输入电容Ciss :3000pF
  • 最高虚拟结温:Tvj = 175°C
  • 高阻断电压、低导通电阻
  •  
  • 高速开关,低电容
  • 超快本征体二极管,Trr = 54.8ns
  • 开尔文源极连接
  • 湿度灵敏性等级:1级(MSL 1)
  • 总功耗:395W(TC = 25°C时)

应用

  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源
  • UPS
  • 电机驱动器
  • 直流/直流转换器
  • 电动汽车充电基础设施
  • 感应加热

尺寸图

机械图纸 - IXYS IXSA80N120L2-7 SiC MOSFET
发布日期: 2025-02-28 | 更新日期: 2025-03-17