IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET是一款第三代1200V SiC MOSFET，专为高效电源转换和快速开关应用而设计。该MOSFET提供147A的漏极连续电流和仅13.5mΩ（典型值）的RDS(on)，能使导通损耗减少、系统效率提高。IXSH150N120L3KHV MOSFET具有高电压阻断能力、低电容及超快本征二极管，可提供卓越的开关性能。开尔文源连接有助于最大限度地减少开关损耗并改善栅极驱动控制。IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET非常适合EV充电基础设施、电机驱动器、DC/DC转换器、太阳能逆变器及开关电源等要求苛刻的应用。
特性
- 第三代SiC MOSFET技术，栅极驱动电压为-3.5V/+15V至18V。
- 高阻断电压与低导通电阻
- 高速开关，低电容
- 工作结温能力：175°C
- 超快且稳健的本征二极管
- 开尔文源接触点
- 漏极-源极电压：1200V
- 漏极电流：147A
- 漏源导通电阻：13.5mΩ（典型值）
- 符合 RoHS 要求
应用
- 电机驱动器
- 电动汽车充电基础设施
- 直流/直流转换器
- 开关模式电源 (SMPS)
- 太阳能逆变器
尺寸图纸（TO-247-4L）
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发布日期: 2026-08-20
| 更新日期: 2026-09-02