IXYS IXT 200V X4超结功率MOSFET
IXYS IXT 200V X4超结功率MOSFET是N通道增强模式器件，具有10.6mΩ、13mΩ或21mΩ导通电阻 (RDS(on)) 和200V最大漏源电压。IXT MOSFET采用TO-220、TO-247、TO-263或TO-268标准封装形式，具有高功率密度，耐雪崩。IXYS IXT 200V X4超结功率MOSFET非常适合用于开关模式和谐振模式电源。
特性
- 国际标准封装
- 低RDS(ON) 和QG
- 耐雪崩
- 低电感封装
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用
- 开关模式和谐振模式电源
- 直流-直流转换器
- PFC电路
- 交流和直流电机驱动器
- 机器人和伺服控制
规范
- 漏极-源极电压：200V
- 连续漏极电流选项：60A、86A和94A
- RDS(on)选项：10.6mΩ、13mΩ或21mΩ
- 温度范围：-55°C至+175°C
示意图
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High-current HiPerFET™ power MOSFETs for hard switching & resonant mode applications.
发布日期: 2021-04-19
| 更新日期: 2022-03-11