特性
- SOIC(N)-8封装
- 浮动高侧驱动器进行600V自举操作
- 驱动半桥配置的两个N通道MOSFET或IGBT
- 设计用于提高嘈杂电机应用中的性能
- 290mA拉/600mA灌电流输出能力
- 输出可耐受负电压瞬变
- 420ns内部死区时间保护MOSFET
- 10V至20V宽低侧栅极驱动器电源电压
- 3.3V逻辑输入(HIN和LIN)能力
- 施密特触发逻辑输入
- VCC 和VBS欠压闭锁(UVLO)功能
- 工作温度范围: -40°C至+125°C
- 可进行回流焊
- 潮湿敏感度等级 (MSL) 3级
- 无铅,符合RoHS指令
应用
- 电机控制
- 直流-直流转换器
- 交流-直流逆变器
- 电机驱动器
典型应用
功能框图
发布日期: 2023-04-06
| 更新日期: 2023-04-11

