IXYS LF2103N半桥栅极驱动器

IXYS LF2103N半桥栅极驱动器是一款高压器件,能够驱动半桥配置的N通道MOSFET和IGBT。高压技术使LF2103N高侧能够在自举操作中开关600V。逻辑输入与标准TTL和CMOS电平兼容(低至3.3V),可轻松连接控制设备。驱动器输出具有高脉冲电流缓冲器,用于实现最低驱动器交叉传导。LF2103N具有固定的420ns(典型值)内部死区时间。IXYS LF2103N半桥栅极驱动器采用SOIC (N)-8封装,工作在-40°C至+125°C扩展温度范围内。

特性

  • SOIC(N)-8封装
  • 浮动高侧驱动器进行600V自举操作
  • 驱动半桥配置的两个N通道MOSFET或IGBT
  • 设计用于提高嘈杂电机应用中的性能
  • 290mA拉/600mA灌电流输出能力
  • 输出可耐受负电压瞬变
  • 420ns内部死区时间保护MOSFET
  • 10V至20V宽低侧栅极驱动器电源电压
  • 3.3V逻辑输入(HIN和LIN)能力
  • 施密特触发逻辑输入
  • VCC 和VBS欠压闭锁(UVLO)功能
  • 工作温度范围: -40°C至+125°C
  • 可进行回流焊
  • 潮湿敏感度等级 (MSL) 3级
  • 无铅,符合RoHS指令

应用

  • 电机控制
  • 直流-直流转换器
  • 交流-直流逆变器
  • 电机驱动器

典型应用

应用电路图 - IXYS LF2103N半桥栅极驱动器

功能框图

框图 - IXYS LF2103N半桥栅极驱动器
发布日期: 2023-04-06 | 更新日期: 2023-04-11