IXYS LSIC1MO120G0x N沟道SiC MOSFET

IXYS LSIC1MO120G0x N沟道SiC MOSFET具有1200V漏源额定电压、25mΩ至160mΩ电阻范围以及14A至70A电流。这些MOSFET优化用于高频、高效率应用，具有超低导通电阻、低栅极电阻，可在所有温度下保持常闭运行。IXYS LSIC1MO120G0x N通道SiC MOSFET非常适合用于太阳能逆变器、开关模式电源、电机驱动器和电池充电器等应用。