IXYS Integrated Circuits MMIX1T500N20X4 200V X4-Class 功率MOSFET
IXYS MMIX1T500N20X4 200V X4级功率MOSFET是一种N沟道增强式MOSFET，具有高达200V的阻断电压和1.99mΩ的低RDS(on) 。它具有低导通损耗，并减少了热耗散。高性能陶瓷基隔离封装可提高整体热阻Rth(j-s) 和功率处理能力。IXYS MMIX1T500N20X4具有可持续1分钟的2500VAC（RMS）隔离电压，并且栅极电荷（Qg）较低，只有535nC。
特性
- 阻断电压高达200V，低RDS(on) 为1.99mΩ
- 低栅极电荷（Qg）为535nC
- 大电流能力ID = 480A
- 设计紧凑，高功率密度
- 导通损耗低，热耗散减少
- 栅极驱动器功率要求低
- 并联工作量减少，零件数量减少
- 经济高效的解决方案，易于组装/组件
- 高性能基于陶瓷的隔离封装可提高整体热阻Rth(j-s) 和功率处理能力
- 隔离电压为2500VAC (RMS)，1分钟
- 低漏极到引脚寄生电容
- 先进的顶侧冷却封装简化了热管理
- 符合RoHS标准
- 环氧树脂符合UL 94V-0标准
应用
- DC负载开关
- 电池能量存储器（BESS）
- 工业和过程电源
- 工业充电基础设施
- 无人机和垂直起降飞行器
规范
- 漏极-源极电压（VDSS）为200V（Tvj = +25°C至+175°C）
- 连续栅极-源极电压（VGSS）为±20V
- 瞬态栅极-源极电压（VGSM）为±30V
- 最大漏极-源极导通电阻（RDS(on)为1.99mΩ（VGS = 10V、ID = 100A）
- 漏极电流（IDM）为1300A
- 耗散功率（PD）为1070W（TC = +25°C）
- 漏极-源极漏电流（IDSS）
- VDS = VDSS，VGS = 0V：25µA
- VDS = VDSS，VGS = 0V，Tvj = 105°C：3mA
引脚分配图
发布日期: 2025-09-24
| 更新日期: 2025-10-08