IXYS X4级功率MOSFET
IXYS X4级功率MOSFET导通电阻和导通损耗低，效率更高。这些功率MOSFET采用PLUS封装，可实现更高的标称电流额定值和更高的功率密度。X4-Class功率MOSFET与标准TO-247封装兼容，易于从现有设计升级，以实现更高的输出功率。这些功率MOSFET具有较低的栅极电荷和较低的热阻。典型应用包括直流负载开关、电池保护、电池或运算、 电池储能系统和DC/DC升降压转换器。
特性
- 低导通电阻
- 高标称电流额定值
- 低栅极电荷
- 低热阻
- 低导通损耗，更高的效率
- 最大限度地减少并联工作量，减少元件数量
- 简化的驱动器设计
- 简化的热设计
- N沟道增强模式
- 耐雪崩
- PLUS封装可实现更高的标称电流额定值和更高的功率密度
- 与标准TO-264封装引脚兼容
- 易于对现有设计进行升级，以实现更高的功率输出
应用
- DC负载开关
- 电池保护
- 电池OR-ing
- 电池储能系统
- DC/DC降压-升压转换器
规范
- 25°C至175°C范围内的漏-源电压200V
- 栅-源电压
- ±20 V（连续）
- ±30 V（瞬态）
- 160A RMS端子电流
- 漏极电流：
- 25°C时400A (IXTX400N20X4)
- 25°C时500A (IXTB500N20X4)
- 存放温度范围：-55°C至175°C
引脚分配图
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| 物料编号 | 下降时间 | Pd-功率耗散 | Qg-栅极电荷 | Rds On-漏源导通电阻 | 上升时间 | 典型关闭延迟时间 | 典型接通延迟时间 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTB500N20X4 | 485 ns | 1.56 kW | 535 nC | 2.65 mOhms | 560 ns | 600 ns | 200 ns |
| IXTX400N20X4 | 370 ns | 1.36 kW | 348 nC | 3.3 mOhms | 480 ns | 430 ns | 150 ns |
发布日期: 2025-12-26
| 更新日期: 2026-02-02