MACOM CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管
Wolfspeed/Cree CGH09120F GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT) 旨在实现高效率、高增益和高带宽能力。该款GaN HEMT支持大量应用DPD校正，因此非常适合用于MC-GSM、WCDMA和LTE放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特性
- UHF to 2.5GHz operation
- 21dB gain
- -38dBc ACLR at 20W PAVE
- 35% efficiency at 20W PAVE
- High degree of DPD correction can be applied
- Ceramic/metal flange package
应用
- MC-GSM
- WCDMA
- LTE amplifiers
发布日期: 2017-10-06
| 更新日期: 2024-01-19