Microchip Technology 1200V sic mosfet
Microchip Technology 1200V SIC MOSFET解决方案更轻、更紧凑，且具有高效率。这些器件的内部栅极电阻（ESR）较低，因此具有快速切换速度。MOSFET驱动简单，易于并联，具有更好的热性能和更低的开关损耗。
Microchip 1200V SIC MOSFET不需要外部自由轮换二极管，并且可在快速可靠的主体二极管中提供卓越的雪崩耐受性。
特性
- 低电容和低栅极充电
- 由于内部栅极电阻（ESR）低，因此切换速度快
- 高结温TJ(max)= 175°C时能稳定运行
- 快速、可靠的体二极管
- 优越的雪崩耐受性（100% UIS生产测试通过）
- 爬电距离（典型值>8mm）
应用
- 光伏（PV）逆变器、转换器和工业电机驱动器
- 智能电网输配电
- 感应加热和焊接
- 混合动力电动汽车（HEV）动力系统和电动汽车（EV）充电器
- 电源和配电
典型应用
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| 物料编号 | 数据表 | Rds On-漏源导通电阻 | Id-连续漏极电流 |
|---|---|---|---|
| MSC020SMB120B4N |  |
24 mOhms | 97 A |
| MSC025SMB120B4N | |
33 mOhms | 81 A |
| MSC030SMB120B4N | |
40 mOhms | 69 A |
| MSC040SMB120B4N | |
53 mOhms | 54 A |
| MSC045SMB120B4N | |
60 mOhms | 49 A |
| MSC060SMB120B4N | |
80 mOhms | 38 A |
| MSC080SMB120B4N | |
107 mOhms | 30 A |
| MSC031SMC120B4N | |
42 mOhms | 72 A |
发布日期: 2025-09-19
| 更新日期: 2025-09-29