Microchip Technology 23AA04M/23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAMs
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是随机存取存储器器件，可通过兼容串行外设接口 (SPI) 的串行总线访问。SRAM具有4096K位低功耗和单电压读写操作。23AA04M和23LCV04M支持串行双接口 (SDI) 和串行四路接口 (SQI)，可实现更快的数据速率和143MHz高速时钟频率。SRAM具有内置纠错码 (ECC)逻辑，可确保高可靠性。Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM提供256 x 8位组织，具有用于读取和写入的字节、页面和顺序模式。SRAM具有无限读取/写入周期和外部电池备份支持。这些器件不含卤素，符合RoHS指令。
特性
- 4096K位低功耗SRAM
- 单电压读写操作
- 1.7至3.6V (23AU04M)
- 2.2V至3.6V (23LCV04M)
- 串行接口架构：
- 兼容SPI模式0和3
- 支持SDI和SQI
- 高速时钟频率为143 MHz
- 内置纠错码 (ECC) 逻辑，可靠性高
- 无限读取和写入周期
- 外部电池备份支持
- 零写入时间
- 低功耗
- 有源读取电流（最大值）：6mA（40MHz，3.6V时），适用于SPI/SDI/SQI
- 待机电流：140μA（+25°C时典型值）
- 256个8位组织
- 用户选择的32位或256位页面大小
- 读取和写入的字节、页面和顺序模式
- 封装选项
- 8引脚PDIP、8引脚SOIC和8引脚TSSOP
- 14引脚PDIP、14引脚SOIC和14引脚TSSOP
- 无卤素、符合 RoHS 指令
规范
- 绝对额定电压：3.9Vcc
- 有源读取电流（最大值）：6mA
- 待机电流：140μA（典型值）
- 密度：4096Kbits
- 关于所有输入和输出：-0.3V至Vcc+0.3V
- 最大时钟频率：143 MHz
- 2 kV ESD保护
- 环境温度范围：-40 °C至+85 °C
- 存放温度范围：-65°C +150°C
相关SRAM
Microchip Technology 23AA02M/23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM
随机存取存储器器件，可通过串行外设接口 (SPI) 访问。
发布日期: 2024-04-01
| 更新日期: 2024-05-17