Microchip Technology 高速IGBT4电源模块
Microchip Technology高速IGBT4电源模块具有低压降和低开关损耗等特性。该系列模块在1200V集电极-发射极电压 (VCES) 下工作，具有极低杂散电感、开尔文发射极/源极（便于驱动）以及扩展的工作温度范围。IGBT4模块的优势包括高效 转换、高频工作时的出色性能、尺寸轻薄以及低结-散热片热阻等。该系列模块适用于高可靠性 电源系统、交流开关、高效交流/直流和直流/交流转换器以及电机控制等应用。
特性
- 高速IGBT4：
- 低压降
- 低漏电流
- 低开关损耗
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 与温度无关的开关行为
- VF上的正温度系数
- 超低杂散电感
- 超低重量和超薄尺寸
- 厚铜Si3N4基板，可提高散热性能
- 内部热敏电阻器，用于温度监控
- 扩展温度范围
- 高效率转换器
- 在高频工作时具有出色的性能
- 直接安装到散热器（隔离式封装）
- 低结-散热片热阻
- 薄型
- 符合RoHS指令
- 高度集成的电源转换系统
应用
- 高可靠性电源系统
- 交流开关
- 高效交流/直流和直流/交流转换器
- 电机控制
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| 物料编号 | 数据表 | 集电极—射极饱和电压 | 在25 C的连续集电极电流 | Pd-功率耗散 | 配置 |
|---|---|---|---|---|---|
| MSCGLQ75H120CTBL3NG |  |
2.4 V | 160 A | 470 W | Full Bridge |
| MSCGLQ50A120CTBL1NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Half Bridge |
| MSCGLQ50DH120CTBL2NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Asymmetrical Bridge |
| MSCGLQ50DU120CTBL1NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Dual Common Source |
| MSCGLQ75DDU120CTBL3NG | |
2.4 V | 160 A | 470 W | Double Dual Common Source |
| MSCGLQ50DDU120CTBL2NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Double Dual Common Source |
| MSCGLQ50H120CTBL2NG | |
2.4 V | 110 A | 375 W | Full Bridge |
发布日期: 2021-09-30
| 更新日期: 2022-07-14