Microsemi / Microchip AgileSAIR®相臂SiC MOSFET功率模块

Microsemi/Microchip AgileSwitch®相臂SiC (碳化硅) MOSFET功率模块采用SiC MOSFET和SiC二极管,因此兼具两款器件的优势。这些电源模块采用极低电感SP6LI封装,最大杂散电感为3nH。这些SP6LI电源模块有1200V和1700V型号可供选择,外壳温度(TC)为+80°C。SP6LI封装具有更高功率密度和紧凑外形,因此可减少并联模块数量,从而实现完整的系统,帮助设计人员进一步缩小器件尺寸。

特性

  • SiC功率MOSFET
    • 低RDS(on)
    • 高温性能
  • 碳化硅肖特基二极管
    • 零反向恢复
    • 零正向恢复
    • 与温度无关的开关特性
    • VF上的正温度系数
  • 开尔文源极,便于驱动
  • 超低杂散电感
  • M5电源连接器
  • 内部热敏电阻器,用于温度监控
  • AlN基板,用于提高热性能
  • 高开关频率
  • 高效率
  • SP6LI封装

应用

  • 电动汽车/混合动力汽车 (EV/HEV) 动力传动系统和动能回收系统 (KERS)
  • 飞机执行系统
  • 发电系统
  • 开关模式电源
  • 感应加热
  • 开关电源
  • 光伏 (PV)/太阳能/风能转换器
  • 不间断电源 (UPS)

视频

封装外形

机械图纸 - Microsemi / Microchip AgileSAIR®相臂SiC MOSFET功率模块
发布日期: 2020-04-14 | 更新日期: 2024-07-24