Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽式MOSFET是增强模式场效应晶体管 (FET)，采用小型表面贴装 (SMD) 塑料封装，采用沟槽式MOSFET技术。这些通过AEC-Q101认证的器件在-55°C至+175°C的宽结温范围内具有逻辑电平兼容性。Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽式MOSFET的应用包括继电器和高速线路驱动器、低侧负载开关以及开关电路。
特性
- 逻辑-电平兼容
- 扩展温度范围高达+175 °C
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护
- 符合 AEC-Q101
- 符合RoHS标准
应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低侧负载开关
- 开关电路
规范
- 漏极-源极电压：60V（最大值）
- ±20 V栅极-源极电压
- 漏极电流范围：220mA至240mA（最大值）
- 漏极-源极导通电阻：3Ω（最大值）
- 最大ESD电压 (HBM)：500V
- 封装选项
- 2.9mm x 1.3mm x 1mm、1.9mm脚距、3端子SOT23
- 2.1mm x 1.25mm x 0.95mm、0.65mm脚距、6引脚SOT363
- 2mmx1.25mmx0.95mm、1.3mm间距、3引脚SOT323封装
视频
发布日期: 2024-03-19
| 更新日期: 2024-11-08