Nexperia 2N7002AK沟道沟槽式MOSFET
Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET是采用沟槽MOSFET技术的小型表面贴装（SMD）塑料封装的增强模式场效应晶体管（FET）。这些AEC-Q101合规器件可在宽-55°C至+175°C结温范围内提供逻辑电平兼容性。Nexperia 2N7002AK N沟道沟槽MOSFET的应用包括继电器和高速线路驱动器、低侧负载开关和开关电路。
特性
- 逻辑-电平兼容
- 扩展温度范围高达+175 °C
- 沟槽式MOSFET技术
- 静电放电 (ESD) 保护
- 符合AEC-Q101标准
- 符合RoHS指令
应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低侧负载开关
- 开关电路
规范
- 最大漏-源电压：60V
- 栅极-源极电压：±20V
- 漏极电流范围：220mA至240mA（最大值）
- 漏极-源极导通电阻：3Ω（最大值）
- 最大ESD电压 (HBM)：500V
- 封装选项
- 2.9mm x 1.3mm x 1mm、1.9mm脚距、3端子SOT23
- 2.1mm x 1.25mm x 0.95mm、0.65mm脚距、6引脚SOT363
- 2mm x 1.25mm x 0.95mm、1.3mm脚距、3引脚SOT323
视频
发布日期: 2024-03-19
| 更新日期: 2024-11-08