用于热插拔和软启动的ASFET,设计用来支持始终在线的应用和设备。用于热插拔和软启动的CCPAK ASFET具有可靠的线性模式、增强的SOA和低RDS(on) 。CCPAK ASFET设计用于浪涌电流的严格控制,以保护插入带电系统的替换电路板上的元件。
特别开发出了用于PoE、eFuse和继电器替换的ASFET,以填补现代大功率PSE控制器的空白。这些器件与意义更大的"热插拔ASFET"采用相同的硅技术。这些更小的ASFET采用各种紧凑的DFN2020 (2mm x 2mm) 和LFPAK33 (3.3mm x 3.3mm) 封装,为低功耗线性模式应用提供增强的 SOA。
用于电池系统和eFuse的ASFET专为多节电池供电的设备而设计。锂离子电池具有能量密度高的优点。然而,这在故障情况下会成为问题,可能会出现不受控制的大能量放电,导致负载过热和潜在的电路火灾。在电池被安全隔离、系统被关闭之前,需要非常坚固耐用且热效率极高的MOSFET以受控的方式处理任何大量放电。对Nexperia的最苛求的LFPAK封装器件来说,这正是它们的理想应用。
用于直流电机控制的ASFET,包括50V/55V ASFET,设计用来满足从无绳电动工具到户外电动设备,甚至是电动自行车和滑板车当中的36V电机的要求。要安全高效地驱动这些具有挑战性的应用,就需要优化实现大电流、强SOA和雪崩等级坚固的MOSFET。
特性
- 用于热插拔和软启动的ASFET
- 需要具有强大线性模式性能和增强安全工作区 (SOA) 的MOSFET在背板引入容性负载时有效、可靠地管理浪涌电流。
- 在替换板安全上电后,MOSFET完全导通
- 用于电池系统和eFuse的ASFET
- 在故障情况下,电池隔离MOSFET通常会进入线性模式,这是因为故障导致深度放电时大电流跨过电路电感产生了电压
- 强SOA MOSFET继续安全、可控地工作,直至被关闭、电池与负载电路完全隔离
- 正常运行时需要低RDS(on) 实现低导通损耗,而且需要优化参数实现安全的电池隔离
- 稳健的电池隔离MOSFET可用作设备认证的主要保护
- 可能需要低Vt,因为电池保护IC可能只有2V至3V的栅极驱动器。
- 用于以太网供电的ASFET
- MOSFET的主要作用是在网络中加入容性负载时安全地管理浪涌电流
- 扩展的增强的安全工作区 (SOA),承受短路故障条件下的功率耗散,直到PSE控制器检测到故障并关闭
- 增强的保护提供同类器件2倍以上的保护。在电缆短路故障时,用于POE的ASFET可在+60°C环境下安全地耗散持续长达20ms、高达30W的功率
- 能在紧凑型路由器/交换机中挤进更多大功率POE端口,需要LFPAK33封装通过热效率和紧凑的占位面积提供的出色的功率密度
- 用于直流电机控制的ASFET
- 50V/55V型号用于36V直流电机,优化的SOA、高ID等级和出色的雪崩能力
- 高ID型号用于电机过载、最大电流能力高达500A的情况
- 半桥型号用于空间受限的电机应用,寄生电感少了60%,并提高了热性能
- 反复雪崩型号用于空间受限的直流电机,保证的反复雪崩性能
应用
- 以太网供电 (PoE)
- 电池系统和eFuse
- 直流电机控制
- 热插拔和软启动
应用说明
- 互动 - 电源开关应用中的MOSFET (IAN50020)
- 互动 - 线性模式下的功率MOSFET (IAN50006)
- 互动 - 高功率应用中的并联功率MOSFET (IAN50005)
- 使用功率MOSFET的Zth曲线 (AN11156)
- 功率MOSFET电气过应力的失效特征 (AN11243)
- RC热模型 (AN11261)
- 大功率应用中的并联功率MOSFET (AN50005)
- 实现安全可靠的栅极驱动操作在MOSFET方面的设计 (AN90001)
- LFPAK MOSFET热设计指南 (AN90003)
- 理解功率MOSFET数据表参数 (AN11158)
- 使用RC热模型 (AN11261)
- 功率MOSFET单发和反复雪崩坚固性等级 (AN10273)
- 设计RC缓冲器 (AN11160)
- 并联使用功率MOSFET (AN11599)
- 线性模式下的功率MOSFET (AN50006)
- 实现安全与可靠的栅极驱动操作在MOSFET方面的设计 (AN90001)
- 半桥MOSFET开关及其对EMC的影响 (AN90011)
- NEXPERIA LFPAK功率MOSFET中的最大连续电流 (AN90016)
- LFPAK MOSFET热阻 - PCB布局的仿真、测试和优化
视频
发布日期: 2024-12-26
| 更新日期: 2025-01-21

