特性
- 逻辑-电平兼容
- 扩展温度范围高达+175 °C
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 静电放电 (ESD) 保护
- 符合 AEC-Q101
- 符合RoHS标准
应用
- 继电器驱动器
- 高速线路驱动器
- 低侧负载开关
- 开关电路
规范
- 漏极-源极电压:60V(最大值)
- ±20 V栅极-源极电压
- 漏极电流:220mA或250mA(最大值)
- 漏极-源极导通电阻:3Ω (最大值),2.2Ω(典型值)
- 最大总功耗范围:270mW至1.6W
- 最大非重复漏极-源极雪崩能量:6.6mJ
- 最大HBM ESD额定值:500V
- 结温/环境温度范围:-55°C至+175°C
- 塑料SMD封装选项
- 2.9mm x 1.3mm x 1mm、1.9mm脚距、3端子SOT23
- 2.1mm x 1.25mm x 0.95mm、0.65mm脚距、6引脚SOT363
- 2mm x 1.25mm x 0.95mm、1.3mm脚距、3引脚SOT323 (SC-70)
视频
发布日期: 2024-03-20
| 更新日期: 2024-12-10

