Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET是一款车规级30V P沟道增强模式FET，采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装，使用了沟槽MOSFET技术。这款MOSFET具有逻辑电平兼容性，其侧部可湿润，便于进行光学焊料检测。BUK6Q21-30PJ MOSFET在正常工作期间以负模式运行，具有漏极-源极电压 (VDS)。在漏极和源极端子之间可以安全施加的最大电压为30V。这款MOSFET采用热效率高的封装，具有小尺寸（占位面积为3.3mm x 3.3mm）。BUK6Q12-40PJ MOSFET符合AEC-Q101标准，适用于汽车应用。该MOSFET非常适用于反转极性保护、高速线路驱动器、高侧负载开关和继电器驱动器。
特性
- 兼容逻辑电平
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 侧面可湿性侧翼，便于进行光学焊接检测
- 漏源电压 (VDS) 为-30V（25°C ≤ Tj ≤ 175°C时）
- 源电流 (Is) 为-41A（Tmb= 25°C时）
- 工作结温范围：-55 °C至175 °C
- 典型总功耗：56W（Tmb= 25°C时）
- 小尺寸高效散热封装（占位面积为3.3mm x 3.3mm）
- 符合 AEC-Q101
应用
- 反向极性保护
- 高速线路驱动器
- 高侧负载开关
- 继电器驱动器
尺寸
P沟道MOSFET
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
采用MLPAK33 (SOT8002-3) SMD塑料封装的P沟道FET，使用沟槽MOSFET技术。
发布日期: 2025-07-24
| 更新日期: 2025-08-19