Nexperia GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET
Nexperia GAN039 CCPAK1212封装的功率GaN FET采用铜夹封装技术，具有低电感、低开关损耗和高可靠性。这些设备无需引线键合即可优化热性能和电性能，并提供 级联配置，从而消除了对复杂驱动器和控制器的需求。 表面贴装GAN039 FET 具有顶部 (CCPAK1212i) 或传统底部 (CCPAK1212 ) 冷却，以改善耗散，提供额外的设计灵活性。CCPAK1212和CCPAK1212i封装风格具有紧凑的占位面积。柔性翼形引线在极端温度环境中可提供强大的板级可靠性。典型应用包括伺服电机驱动器、光伏和UPS逆变器、无桥图腾柱PFC和软开关转换器。
特性
- 超低封装电阻
- 与传统的QFN封装不同，在热循环过程中，该器件具有高板级可靠性，可吸收机械应力
- 采用裸露引线，便于光学检测
- 简化的驱动器设计
- 驱动电压范围：0V至12V
- 4V栅极阈值电压用于栅极抖动抗扰
- 瞬态过电压能力，提高了其稳健性
- 低体二极管正向电压可减少损耗并简化死区时间调整
- 2个冷却选项
- 低部冷却 (CCPAK1212)
- 顶部冷却（CCPAK1212i）
- 结温范围：-55°C至+150°C
- 易于焊料润湿，实现良好的机械焊点
应用
- 电信/服务器钛金级电源
- 工业车辆充电
- 太阳能 (PV) 逆变器
- 无桥推拉输出电路PFC
- 交流伺服驱动器/变频器
- 硬开关和软开关转换器
- 电池存储器/UPS逆变器
规范
- 最大漏源电压为650V
- 漏极电流：高达60A（最大值）
- 最大总功耗：高达300W
- 漏极－源极导通电阻：39mΩ（最大值），33mΩ (典型值）
- 栅极-源极电压：±20V
- 栅极-漏极电荷: 5nC (典型值）
- 总栅极电荷：高达30nC（典型值）
- 结温范围：-55 °C至+150 °C
视频
发布日期: 2023-08-31
| 更新日期: 2026-05-27