GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET

Nexperia GAN039 CCPAK1212封装的功率GaN FET采用铜夹封装技术,具有低电感、低开关损耗和高可靠性。这些设备无需引线键合即可优化热性能和电性能,并提供 级联配置,从而消除了对复杂驱动器和控制器的需求。 表面贴装GAN039 FET 具有顶部 (CCPAK1212i) 或传统底部 (CCPAK1212 ) 冷却,以改善耗散,提供额外的设计灵活性。CCPAK1212和CCPAK1212i封装风格具有紧凑的占位面积。柔性翼形引线在极端温度环境中可提供强大的板级可靠性。典型应用包括伺服电机驱动器、光伏和UPS逆变器、无桥图腾柱PFC和软开关转换器。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 517库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 700库存量
最低: 1
倍数: 1
: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement