GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET

Nexperia GAN039 CCPAK1212封装功率GaN FET采用铜夹封装技术,电感/开关损耗低并且具有高可靠性。该款器件采用无引线接合设计,以优化热和电气性能,提供 级联配置,无需复杂的驱动器和控制。 表面贴装GAN039 FETS 具备顶部冷却(CCPAK1212i)或传统底部冷却(CCPAK1212),可提升散热性,增加设计灵活度。CCPAK1212和CCPAK1212i封装类型占位面积小。柔性翼形引线在极端温度环境中可提供强大的板级可靠性。典型应用包括伺服电机驱动器、PV和UPS逆变器、无桥图腾柱PFC和软开关转换器。

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN039-650NTB/SOT8005/CCPAK121 599库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212i-12 N-Channel 1 Channel 650 V 58.5 A 33 mOhms + 20 V 4.6 V 26 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement
Nexperia GaN 场效应晶体管 GAN039-650NBB/SOT8000/CCPAK121 956库存量
最低: 1
倍数: 1
卷轴: 1,000

SMD/SMT CCPAK1212-13 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 39 mOhms - 20 V, + 20 V 4.8 V 30 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement