Nexperia GANB8R0-040CBA双向GaN FET

Nexperia GANB8R0-040CBA双向氮化镓 (GaN) FET是一款40V、8.0mΩ双向GaN高电子迁移率晶体管 (HEMT)，采用紧凑型1.7mm x 1.7mm晶圆级芯片尺寸封装 (WLCSP) 。 这款常闭型增强模式设备具有超高切换速度和低导通电阻，使Nexperia GANB8R0-040CBA非常适合用于需要高效电源管理和大功率密度的应用。 该设备的双向能力和卓越性能使其适用于高侧负载开关、过压保护和直流-直流转换器。