Nexperia PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET
恩智浦 PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET 是一款增强模式场效应
晶体管(FET),采用无铅、超小型 DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装
器件(SMD)塑料封装。该器件运用沟槽式MOSFET
技术,阈值电压低,
能快速开关,具有 1.8kV 静电放电保护。PMZB350UPE MOSFET 是继电器传动器、高速
线路驱动器、高侧负载开关和开关电路的理想选择。
特性
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
- 1.8kV ESD protected
应用
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side load switch
- Switching circuits
Related Products
采用超小型 SOT1216 SMD 塑料封装的增强模式场效应晶体管。
符合AEC-Q101标准的功率MOSFET,采用先进的业界领先的小型封装。
小型WLCSP和无引线DFN封装,适合用于移动和便携式应用。
发布日期: 2015-05-28
| 更新日期: 2022-03-11