Nexperia PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET

恩智浦 PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET 是一款增强模式场效应 晶体管(FET),采用无铅、超小型 DFN1006B-3(SOT883B)表面贴装 器件(SMD)塑料封装。该器件运用沟槽式MOSFET 技术,阈值电压低, 能快速开关,具有 1.8kV 静电放电保护。PMZB350UPE MOSFET 是继电器传动器、高速 线路驱动器、高侧负载开关和开关电路的理想选择。

特性

  • Low threshold voltage
  • Very fast switching
  • Trench MOSFET technology
  • 1.8kV ESD protected

应用

  • Relay driver
  • High-speed line driver
  • High-side load switch
  • Switching circuits

Package Outline

机械图纸 - Nexperia PMZB350UPE 20V P 沟道沟槽式 MOSFET
发布日期: 2015-05-28 | 更新日期: 2022-03-11