Nexperia PSMN N通道30V MOSFET
Nexperia PSMN N通道30V MOSFET采用NextPowerS3技术和LFPAK封装，具有低RDSon和低IDSS漏电流。由于采用LFPAK封装，因此这些器件具有高可靠性，可在175°C温度下工作。这些MOSFET具有极为出色的安全工作区 (SOA)。这些PSMN MOSFET在25°C时的漏电流低于1μA，针对4.5V栅极驱动进行了优化。这些MOSFET具有-55°C至175°C的结温范围和储存温度范围。这些PSMN MOSFET非常适合用于热插拔、电源OR-ing、电池保护、有刷和无刷直流电机控制，以及交流-直流和直流-直流应用中的同步整流。
特性
- 经优化实现了低RDSon
- NextPowerS3技术
- 出色的SOA
- 在25°C时的漏电流< 1µA
- 高可靠性LFPAK封装，可承受175°C
- 用于视觉焊料检查的外露引线
- 低尖峰和振铃，实现了低EMI设计
规范
- 针对4.5V栅极驱动进行了优化
- 储存温度范围：-55°C至175°C
- 结温范围：-55°C至175°C
- 25°C ≤ Tj ≤ 175°C：
- 30VDS漏极-源极电压
- 30VDGR漏极-栅极电压
应用
- 热插拔
- 电源OR-ing
- 直流开关/负载开关
- 电池保护
- 有刷和无刷电机控制
- 交流-直流和直流-直流应用中的同步整流
电源OR-ing应用示意图
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