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Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET

Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET采用高效且节省空间的LFPAK56封装。 这些MOSFET耐雪崩。NextPowerS3 MOSFET支持+175°C的最高结温。这些MOSFET符合欧盟RoHS规定。NextPowerS3 MOSFET的峰值焊接温度为+260°C，储存温度范围为-55°C至+175°C。典型应用包括DC-DC转换器和无刷直流电机控制。

规范

  • 耐雪崩
  • LFPAK56 封装
  • 最高结温：+175 °C
  • 峰值焊接温度：+260°C
  • 储存温度范围：-55°C至+175°C
  • 符合欧盟 RoHS 规定

应用

  • 直流-直流转换器
  • 无刷直流电机控制

视频

包装外形

机械图纸 - Nexperia EMC优化的NextPowerS3 MOSFET

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物料编号 数据表 安装风格 封装 / 箱体 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 Pd-功率耗散 下降时间 产品类型 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间
PSMN3R2-40YLBX PSMN3R2-40YLBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 120 A 3.3 mOhms 2.05 V 42 nC 115 W 12 ns MOSFETs 21 ns 19 ns 17 ns
PSMN1R7-40YLBX PSMN1R7-40YLBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 200 A 1.8 mOhms 2.05 V 79 nC 194 W 20 ns MOSFETs 30 ns 33 ns 31 ns
PSMN1R9-40YSBX PSMN1R9-40YSBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 200 A 1.9 mOhms 3.6 V 56 nC 194 W 13 ns MOSFETs 11 ns 33 ns 15 ns
PSMN2R0-40YLBX PSMN2R0-40YLBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 180 A 2.1 mOhms 28 nC 166 W MOSFETs
PSMN2R2-40YSBX PSMN2R2-40YSBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8 40 V 180 A 2.2 mOhms 3.6 V 49 nC 166 W 12 ns MOSFETs 9 ns 29 ns 13 ns
PSMN2R5-40YLBX PSMN2R5-40YLBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 160 A 2.6 mOhms 2.05 V 56 nC 147 W 17 ns MOSFETs 25 ns 27 ns 22 ns
PSMN2R8-40YSBX PSMN2R8-40YSBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 160 A 2.8 mOhms 3.6 V 42 nC 147 W 9 ns MOSFETs 8 ns 22 ns 12 ns
PSMN3R5-40YSBX PSMN3R5-40YSBX 数据表 SMD/SMT Power-SO8-4 40 V 120 A 3.5 mOhms 3.6 V 30 nC 115 W 7 ns MOSFETs 6 ns 17 ns 9 ns
发布日期: 2024-02-22 | 更新日期: 2024-04-11