Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽型MOSFET
Nexperia PXNx N沟道逻辑电平沟槽型MOSFET专为各种应用中的高效电源管理而设计。这些Nexperia MOSFET具有低导通电阻 [RDS(on)]，范围为2.8mΩ至14mΩ，并支持60V和100V漏源电压(VDS)。这些MOSFET针对逻辑电平兼容性进行了优化，适用于次级侧同步整流、DC-DC转换器、电机驱动器、负载开关和LED照明。这些MOSFET采用散热效率高的MLPAK33和MLPAK56封装，占位面积小，散热性能好。凭借低栅极电荷 (Qg) 和高雪崩耐受能力等特性，PXNx系列确保可在严苛环境下可靠运行。
特性
- 60 V和100 V选项
- 漏-源导通电阻：
- 60V型号的范围为5.7mΩ至14mΩ
- 100V型号的范围为2.8mΩ至2.9mΩ
- 逻辑电平兼容性
- 沟槽式 MOSFET 技术
- 小尺寸热效率高的封装
- 60V型号采用3.3mm x 3.3mm占位面积的MLPAK33 (SOT8002-1) 封装
- 100V型号采用5.15mm x 6.15mm占位面积的MLPAK56 (SOT8038-1) 封装
应用
- 二次侧同步整流
- 直流-直流转换器
- 家用电器
- 电机驱动器
- 负载开关
- LED灯
- 电动自行车（仅100V型）
规范
- 最大漏极电流范围
- 39A至83A（60V型）
- 180A至184A（100V型）
- 最大总耗散功率范围
- 43W至79W（60V型）
- 181 W (100 V)
- 典型栅极漏极电荷范围
- 2.1nC至5.7nC（60V型）
- 19nC至20nC（100V型）
- 典型总栅极电荷范围
- 5.9nC至16.5nC（60V型）
- 51nC至74nC（100V型）
- 最大非重复漏极源雪崩能量范围
- 22.5mJ至90mJ（60V型）
- 275.6mJ至714mJ（100V型）
- 典型源漏二极管恢复电荷范围
- 4.9nC至11nC（60V型）
- 31nC至48nC（100V型）
- 结温范围：-55 °C至+150 °C
发布日期: 2025-04-08
| 更新日期: 2025-04-13