Omron Electronics G6K-2F-RF-V 8GHz高频继电器

Omron Electronics G6K-2F-RF-V 8GHz高频继电器非常适合用于高速信号转换 (9.6Gbps)。 DPDT(2c) 继电器具有高频特性(8GHz时的插入损耗为3dB或以下),额定功耗为100mW,灵敏度高。 G6K-2F-RF-V系列采用微型11.7 × 7.9 × 7.1mm封装,占位尺寸比以前的G6K型号小。

特性

  • For High-speed signal switching, available 9.6Gbps switching
  • DPDT(2c), available differential transmission signal
  • 100mW low coil power consumption
  • Small size, surface-mounting terminal

应用

  • Semiconductor test equipment
  • Test and measurement equipment
  • Communication equipment

Package Outline

图表 - Omron Electronics G6K-2F-RF-V 8GHz高频继电器
发布日期: 2017-05-03 | 更新日期: 2024-09-03