onsemi AFGHL75T65SQD场终止沟槽型IGBT
安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQD场终止沟槽型IGBT采用第四代高速IGBT技术。此器件符合AEC-Q101标准，可为汽车应用中的硬开关和软开关拓扑提供最佳性能。安森美 (onsemi) AFGHL75T65SQD场终止沟槽型IGBT还具有大电流能力、快速开关和紧密的参数分布。
特性
- 符合 AEC-Q101
- 最高结温：+175 °C
- 具有正温度系数，便于并联工作
- 大电流承受能力
- 75A IC 饱和电压时VCE(Sat) 典型值：1.6V
- 零件经过ILM 测试
- 快速开关
- 参数分布紧密
- 符合RoHS标准
应用
- 混合动力/电动汽车 (HEV/EV)
- 板载充电器
- DC-DC转换器
- 图腾柱无桥功率因数校正 (PFC)
电路应用图
相关产品
onsemi FS4 IGBT
强大、高效的解决方案，适用于各种工业和汽车应用。
发布日期: 2020-12-08
| 更新日期: 2024-05-30