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onsemi FGHL50T65SQDT IGBT

安森美半导体FGHL50T65SQDT IGBT是第四代场终止型IGBT，具有最佳性能。这些IGBT可轻松并联运行，具有低导通和开关损耗。安森美半导体FGHL50T65SQDT非常适合用于需要低导通和开关损耗的应用，包括太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)、电信、储能系统 (ESS) 和功率因数校正 (PFC)。

特性

  • 正温度系数
  • 低饱和电压 (VCE (sat))：1.47V（IC = 50A时的典型值）
  • 正温度系数易于并联工作
  • 快速开关
  • 最高结温：+175 °C
  • 大电流承受能力
  • 所有零件均经过ILM 测试
  • 高输入阻抗
  • 精确的参数分配
  • 无铅，符合RoHS指令

应用

  • 太阳能逆变器
  • UPS
  • 电信
  • ESS
  • 功率因数校正

规范

  • 集电极-发射极电压：650V
  • 栅极-发射极电压：±20V
  • 瞬态栅极至发射极电压：±30 V
  • 集电极电流：100A（TC = 25°C时）
  • 集电极电流：50A（TC = 25°C时）
  • 200 A脉冲集电极电流
  • 二极管正向电流：75A（TC = 25°C时）
  • 二极管正向电流：50A（TC = 25°C时）
  • 脉冲二极管最大正向电流：300 A
  • 最大功耗：268W（TC = 25°C时）
  • 最大功耗：134W（TC = 100°C时）
  • 工作结温/储存温度范围：-55°C至+175°C
  • 焊接最高引线温度为265°C，外壳1/8"，持续5秒

概述

onsemi FGHL50T65SQDT IGBT
发布日期: 2020-06-16 | 更新日期: 2024-06-05