onsemi NTBS9D0N10MC单N通道MOSFET
安森美 (onsemi) NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET具有低漏极-源极导通电阻RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗。此MOSFET具有低总栅极电荷 (QG) 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美 (onsemi) NTBS9D0N10MC MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。此MOSFET具有100V漏极-源极电压 (VDSS) 和60A最大连续漏极电流 (ID)。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。
特性
- RDS(on) ：9mΩ（最大值，10V时），可最大限度地降低导通损耗
- 开关性能经过优化
- 低QG 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗
- 降低开关噪声/EMI
- ID ：60A（最大值）
- VDSS ：100V
应用
- 电动工具
- 电池供电真空吸尘器
- UAV/无人机
- 材料处理
- BMS/存储
- 家居自动化
性能图
其他资源
发布日期: 2020-09-10
| 更新日期: 2024-06-11