NTBS9D0N10MC

Name: onsemi NTBS9D0N10MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBS9D0N10MC
Price: 28.33 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTBS9D0N10MC

制造商编号：

NTBS9D0N10MC

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L

数据表:

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封装:

整卷卷轴（请按800的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥32.0129	¥32.01
	¥21.0067	¥210.07
	¥14.6448	¥1,464.48
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
	¥14.6448	¥11,715.84

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	D2PAK-3 (TO-263-3)
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	23 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	68 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTBS9D0N10MC
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
单位重量:	360 mg

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数据表

NTBS9D0N10MC 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTBS9D0N10MC单N通道MOSFET

安森美 (onsemi) NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET具有低漏极-源极导通电阻R_DS(ON)，可最大限度地降低导通损耗。此MOSFET具有低总栅极电荷 (Q_G) 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美 (onsemi) NTBS9D0N10MC MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。此MOSFET具有100V漏极-源极电压 (V_DSS) 和60A最大连续漏极电流 (I_D)。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。