NTBS9D0N10MC

onsemi
863-NTBS9D0N10MC
NTBS9D0N10MC

制造商：

说明：
MOSFET PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L

数据表:
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库存量: 5,300

库存：
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50 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
本产品所报告的交付时间长。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按800的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥29.945 ¥29.95
¥19.5264 ¥195.26
¥13.6504 ¥1,365.04
整卷卷轴（请按800的倍数订购）
¥10.0909 ¥8,072.72
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
1 Channel
100 V
60 A
9 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
23 nC
- 55 C
+ 175 C
68 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTBS9D0N10MC
工厂包装数量: 800
子类别: Transistors
单位重量: 360 mg
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已选择的属性: 0

CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

NTBS9D0N10MC单N通道MOSFET

安森美 (onsemi) NTBS9D0N10MC单N沟道MOSFET具有低漏极-源极导通电阻RDS(ON)，可最大限度地降低导通损耗。此MOSFET具有低总栅极电荷 (QG) 和电容值，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美 (onsemi) NTBS9D0N10MC MOSFET可降低开关噪声/电磁干扰 (EMI)。此MOSFET具有100V漏极-源极电压 (VDSS) 和60A最大连续漏极电流 (ID)。典型应用包括电动工具、电池供电吸尘器、无人航空载具 (UAV)/无人机、材料处理、电池管理系统 (BMS)/存储和家居自动化。

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