onsemi NTPF360N80S3Z N沟道SUPERFET III MOSFET

安森美半导体NTPF360N80S3Z N沟道SUPERFET® III是一款高性能功率MOSFET,具有800V击穿电压。超场效应晶体管此SUPERFET优化用于反激式转换器的一次开关,可降低开关损耗和外壳温度,而不影响EMI性能。安森美半导体NTPF360N80S3Z SUPERFET配有内部齐纳二极管,可显著提高静电放电 (ESD) 能力。典型应用包括适配器/充电器、LED照明、辅助电源、音频和工业电源。

特性

  • 优化用于反激式转换器的一次侧开关
  • 实现更低开关损耗和外壳温度
  • 内部齐纳二极管提高了ESD能力
  • 漏极-源极击穿电压 (V(BR)DSS):800V
  • 漏极-源极导通电阻 (RDS (on)):360mΩ(最大值)
  • 超低栅极电荷 (Qg):25.3nC(典型值)
  • 漏极电流 (ID):13A(最大值)
  • 输出电容中的低存储能量 (Eoss):2.72J(400V时)
  • 100% 经雪崩测试

应用

  • 适配器/充电器
  • LED照明
  • AUX电源
  • 音频
  • 工业电源
发布日期: 2020-09-16 | 更新日期: 2024-06-04