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NTPF360N80S3Z

Name: onsemi NTPF360N80S3Z
Brand: onsemi
SKU: 863-NTPF360N80S3Z
Price: 34.48 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

863-NTPF360N80S3Z

制造商编号：

NTPF360N80S3Z

制造商：

onsemi

说明：

MOSFET SF3 800V 360MOHM TO-220F

数据表:

NTPF360N80S3Z 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	onsemi
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	Through Hole
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	800 V
Id-连续漏极电流:	13 A
Rds On-漏源导通电阻:	360 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 20 V, 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.8 V
Qg-栅极电荷:	25.3 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	31 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Tube
商标:	onsemi
产品类型:	MOSFETs
系列:	NTPF360N80S3Z
工厂包装数量:	50
子类别:	Transistors

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数据表

NTPF360N80S3Z 数据表

PCN

Material Composition Disclosure

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 中国
扩散国家:: 韩国

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SuperFET® III MOSFET

安森美(onsemi) SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此系列器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。

NTPF360N80S3Z N沟道SUPERFET III MOSFET

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