onsemi NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET设计紧凑，具有良好的散热性能。该MOSFET具有低漏极－源极导通电阻 (R_{DS (on)})，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (Q_G) 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美半导体NTTFS1D8N02P1E MOSFET具有25V漏极－源极击穿电压 (V_{(BR) DSS}) 和150A最大漏极电流 (I_D)。典型应用包括直流－直流转换器、电源负载开关、笔记本电脑电池管理、电机控制、二次整流、电池管理和负载点 (POL)。