NTTFS1D8N02P1E

onsemi
863-NTTFS1D8N02P1E
NTTFS1D8N02P1E

制造商：

说明：
MOSFET FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
PQFN-8
N-Channel
1 Channel
25 V
150 A
1.3 mOhms
- 12 V, 16 V
2 V
17.1 nC
- 55 C
+ 150 C
46 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: onsemi
产品类型: MOSFETs
系列: NTTFS1D8N02P1E
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
单位重量: 122.136 mg
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已选择的属性: 0

数据表

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
菲律宾
组装原产国/地区:
菲律宾
扩散国家:
中国台湾
发货时，国家/地区可能会发生变化。

NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET

安森美半导体NTTFS1D8N02P1E N沟道功率MOSFET设计紧凑，具有良好的散热性能。该MOSFET具有低漏极－源极导通电阻 (RDS (on))，可最大限度地降低导通损耗，另外还具有低总栅极电荷 (QG) 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗。安森美半导体NTTFS1D8N02P1E MOSFET具有25V漏极－源极击穿电压 (V(BR) DSS) 和150A最大漏极电流 (ID)。典型应用包括直流－直流转换器、电源负载开关、笔记本电脑电池管理、电机控制、二次整流、电池管理和负载点 (POL)。

库存量: 2,867

库存：
2,867 可立即发货
生产周期：
53 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥29.6964 ¥29.70
¥14.9725 ¥149.73
¥13.4809 ¥1,348.09
¥11.0062 ¥5,503.10
¥10.8367 ¥10,836.70
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥10.17 ¥30,510.00

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