onsemi NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET
安森美 (onsemi) NVMFS3D6N10MCL单N沟道功率MOSFET设计用于高效的紧凑型设计，具有较高的散热性能。此MOSFET具有低漏极-源极RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗，还具有低QG/电容，可最大限度地降低驱动器损耗。NVMFS3D6N10MCL MOSFET符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能。安森美 (onsemi) MOSFET采用小型DFN5扁平引线封装，尺寸为5mm x 6mm。典型应用包括48V系统、开关电源、电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥），以及反向电池保护。
特性
- 低RDS(on)，可最大限度地降低导通损耗
- 3.6 mΩ 下为 10 V
- 5.8 mΩ 下为 4.5 V
- 漏极-源极电压 (V(BR)DSS)：100V
- 漏极电流 (ID)：132A（最大值）
- 低QG 和电容，可最大限度地降低驱动器损耗
- 符合AEC-Q101标准并具有PPAP功能
- 尺寸：5 mm x 6 mm
应用
- 用于电磁阀驱动器的48V系统
- 电机控制用开关电源
- 反向电池保护
- 电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器和半桥）
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发布日期: 2020-09-18
| 更新日期: 2024-06-12